1. Materiales a base de cerámica (opción más común)

• Cerámica de alto factor Q : Como titanato de magnesio (MgTiO₃), titanato de estroncio (SrTiO₃) y titanato de calcio (CaTiO₃) , que presentan constantes dieléctricas elevadas (εᵣ ≈ 20–100) y bajas pérdidas (tanδ < 0,0002), adecuadas para aplicaciones de alta frecuencia y bajas pérdidas de inserción.

• Cerámicas estables a la temperatura : Como Formulaciones de aluminato de magnesio (MgAl₂O₄) y titanato de zirconato de plomo modificado (PZT) , cuyo coeficiente de temperatura (τf) se ajusta mediante dopaje a valores cercanos a cero o controlados, satisfaciendo así las demandas de entornos hostiles como las estaciones base.

2. Nuevos materiales compuestos

• Cerámica cocida a baja temperatura ( LTCC ) : Como sistemas compuestos vitrocerámicos (por ejemplo, vidrio de borosilicato + rellenos cerámicos), equilibrando la capacidad de sinterización a baja temperatura con un buen rendimiento a alta frecuencia.
• Compuestos a base de polímeros : Como Mezclas de polvo de PTFE/cerámica con constantes dieléctricas ajustables (εᵣ ≈ 2–10), adecuadas para circuitos flexibles o bandas de ondas milimétricas.

Criterios clave para la selección de materiales : La constante dieléctrica (εᵣ) determina el tamaño del dispositivo, la tangente de pérdidas (tanδ) afecta directamente al factor Q, y el coeficiente de temperatura (τf) rige la estabilidad de la frecuencia. Los desarrollos actuales de 5G/6G están impulsando la I+D en materiales de alta frecuencia, con alúmina de alta pureza (Al₂O₃) y nitruro de aluminio (AlN) Se observa un uso cada vez mayor en aplicaciones de ondas milimétricas.

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